2021-03-17 16:51
中國電子科技集團表示，這次突破的關鍵技術包括中束流、大束流、高能、特種應用及第三代半導體等離子注入機，工藝段覆蓋至28奈米。新華社資料照片
大陸晶片製造關鍵設備再突破！中國電子科技集團17日宣布，該集團旗下裝備子集團技術突破，成功完成離子注入機全譜系產品國產化，工藝覆蓋至28奈米，為大陸晶片製造產業鏈補上重要一環。
中國電子科技集團表示，這次突破的關鍵技術包括中束流、大束流、高能、特種應用及第三代半導體等離子注入機，工藝段覆蓋至28奈米，為大陸晶片製造產業鏈補上重要一環，為全球晶片製造企業提供離子注入機一站式解決方案。
在利多消息帶動下，A股第三代半導體概念股蘇州固鍀、派瑞股份、乾照光電、聚燦光電、聞泰科技股價集體走高。
第三代半導體材料是以碳化矽（SiC）及氮化鎵（GaN）為材料主流。相較傳統第一、二代材料如矽（Si）、砷化鎵（GaAs）等，第三代半導體具備高功率、耐高溫、高崩潰電壓、高電流密度及高頻等特性，更能因應電動車、綠能、5G基地台、雷達及快充等發展趨勢。
第三代半導體也是日前落幕的大陸全國人大、政協兩會關鍵詞之一。根據甫通過的第十四個五年規劃和2035年遠景目標綱要，在積體電路領域方面，綱要提及要取得碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體的發展。
第一財經援引機構分析，第三代半導體最主要的困難是材料製備，其他環節可以實現大陸國產化程度非常高，加上官方在政策和資金方面大力支持，行業技術追趕速度更快、門檻准入較低、國產化程度更高，中長期給大陸國內功率半導體企業、襯底材料供應商帶來更多發展空間確定性更強。
大陸全國政協委員王文銀稱，隨著第三代半導體行業的觸角向5G基地台、特高壓、城際高鐵交通、新能源充電樁等關鍵領域延伸，大陸半導體行業發展風口已至。多數專家也對大陸第三代半導體的發展抱持積極態度，認為第三代半導體材料可以讓大陸擺脫積體電路被動的局面，成為晶片技術追趕和超車的良機。
大陸工信部電子資訊司司長喬躍山日前表示，將繼續加大對汽車半導體的技術攻關，推動汽車半導體生產線製造能力提升，指導車規級驗證試用能力建設。
資料來源引用:https://udn.com/news/story/7333/5324679
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